中国长鑫存储加速退出DDR4生产，聚焦AI与HBM技术
【纬度新闻网】据《Digitimes》报道，中国领先的DRAM制造商长鑫存储技术有限公司（CXMT）计划于明年年中逐步停止为服务器和个人电脑生产DDR4内存。此举是为了响应中国政府推动人工智能和云基础设施全球领先的战略部署。长鑫同时被认为正优先发展高带宽内存（HBM）技术，目标在今年底前完成HBM3芯片的验证。
这一决定令业界意外，因为长鑫在2024年底才开始大规模生产DDR4内存。凭借产能提升和激进的定价策略，长鑫的举措已促使全球主要内存制造商美光（Micron）、三星（Samsung）和SK海力士（SK hynix）计划在2025年底前终止DDR3和DDR4芯片的生产。
在中国政府聚焦AI以挑战美国科技主导地位的背景下，长鑫可能受到政策指引，加速技术转型。行业分析师预计，长鑫最早将于今年第三季度发布DDR4的停产通知。尽管如此，DDR4供应已显著减少，部分8GB芯片因供不应求价格飙升150%。
整体市场正转向DDR5生产，以满足新型设备需求，但部分DDR4生产线将继续运营。据《Digitimes Asia》报道，长鑫将为兆易创新（GigaDevice）继续生产DDR4以满足消费市场，而三星和SK海力士也将使用1z纳米工艺维持DDR4生产，该工艺无需极紫外光刻（EUV）设备，从而将先进设备用于新型芯片生产。
尽管长鑫在DDR4内存领域表现强劲，但其DDR5芯片仍面临挑战。据报道，最新DDR5样本在部分测试中未能通过，芯片在60摄氏度以上时出现不稳定，而三星芯片可在高达85摄氏度的环境下正常运行。此外，长鑫的DDR5在零下温度中的性能也存在不确定性。
