三星 HBM3E 芯片未能满足英伟达的功耗要求仍需优化
据路透社报道，三星（samsung）最新的 HBM3 和 HBM3E 内存堆栈面临挑战。由于过热和功耗问题，它们未能通过 英伟达（Nvidia）的测试。这一挫折对三星来说意义重大，因为 Nvidia 在全球 AI 应用处理器市场占据主导地位。但这对于 Nvidia 来说可能是一个问题，因为它需要尽可能多的 HBM 供应来满足其基于 Hopper 和 Blackwell 架构的处理器的需求。
从形式上看，三星的 HBM3E 内存堆栈是业内速度最快的，额定数据传输率高达 9.8 GT/s。三星于 4 月底正式开始生产 24 GB 和 36 GB HBM3E。然而，路透社的报道称，三星的部分 HBM3 和 HBM3E 设备无法通过 Nvidia 针对特定产品的验证，但具体细节尚未透露。
三星的 HBM3 和 HBM3E 堆栈未能通过 Nvidia 的测试，原因在于散热和功耗过大的问题，但同样，没有消息称三星的哪款产品与 Nvidia 的哪款 GPU 过热。据报道，三星自去年以来一直在研发这些芯片，但尚未达到 Nvidia 的严格要求。这是一个关键问题，因为 Nvidia 的批准对三星的 HBM 业务至关重要。
尽管面临这些挑战，三星仍声称将与客户合作优化其产品。报道称，该公司否认故障是由热量和电源问题引起的，并坚称测试正在按计划进行。
相比之下，竞争对手 SK 海力士和美光科技已成功向 Nvidia 供应 HBM3 和 HBM3E 模块。尤其是 SK 海力士，由于过去 10 至 12 年在 HBM 内存研发方面投入了大量资金，因此具有技术优势。与此同时，三星在满足 Nvidia 要求方面遇到的困难意味着美光和 SK 海力士将拥有更好的商机，这两家公司能否满足 Nvidia 对 HBM3E 内存日益增长的需求。与此同时，三星能否向 AMD 等其他公司供应其 HBM3E 设备尚不清楚。
市场热切期待 HBM3E 内存的快速普及，预计出货将集中在下半年。因此，三星有时间调整其生产流程来解决所报告的问题。
