中国或已成功研制EUV光刻机，芯片自主化进程将提前
中国科研人员在深圳一处高度保密的实验室中建成并开始测试一台极紫外（EUV）光刻机原型设备，该设备被视为先进半导体制造的核心工具。在美国多年出口管制背景下，中国在高端芯片制造能力上的进展可能快于外界此前预期。
据路透社援引多名知情人士的说法，该EUV光刻机原型于2025年初完成建造，目前已能成功产生极紫外光，但尚未制造出可用芯片。该设备体量巨大，几乎占据整个厂房，由一支曾在荷兰半导体设备制造商阿斯麦（ASML）工作的工程师团队主导研发，其技术路线包括对现有EUV系统的逆向研究。
EUV光刻技术长期被视为全球半导体产业的关键瓶颈。目前，阿斯麦是全球唯一能够商业化提供EUV光刻机的企业，其设备广泛用于台积电、英特尔和三星等公司生产最先进芯片。美国自2018年起推动盟友限制相关设备对华出口，并在2022年进一步扩大半导体出口管制范围，阻断中国获取包括EUV和部分DUV设备在内的关键制造工具。
路透社指出，这一中国原型项目是国家层面推进半导体自给自足战略的一部分，相关工作已持续约六年。知情人士称，项目由政府主导，并与多家科研机构和企业协同推进，华为在芯片设计、设备配套和制造环节中扮演协调角色。官方目标是到2028年前后在该设备上制造出可用芯片，但部分项目人员认为，更现实的时间点可能在2030年前后。
报道同时强调，中国在EUV领域仍面临显著技术障碍，尤其是在高精度光学系统方面。阿斯麦的EUV设备依赖德国蔡司公司提供的精密光学元件，而中国目前尚难以完全复制这一能力。知情人士称，中国科研机构已在部分光学系统集成方面取得突破，使设备得以运行，但整体性能仍与西方成熟产品存在差距。
为获取关键部件，中国研究团队被指利用二手市场采购老旧光刻设备并拆解研究，同时通过中介渠道获取部分受限零部件。路透社还提到，项目在人员管理和信息安全方面高度封闭，部分参与人员使用化名工作，以防止技术细节外泄。
阿斯麦在回应路透社时表示，其理解其他国家和企业希望复制相关技术，但强调EUV系统的研发“并非易事”，该公司花费近20年和数十亿欧元才实现商业化。中国官方、华为以及相关科研机构均未就报道置评。
如果中国最终实现EUV设备的稳定运行并用于量产，将对全球半导体产业格局和现行出口管制体系产生深远影响，但短期内，中国在先进制程芯片制造方面仍将受到技术和良率等多重因素制约。
