韩国前三星电子员工因涉向中企泄露半导体技术获刑7年

韩国首尔中央地方法院周三（4月22日）判处一名前三星电子研究人员7年有期徒刑，认定其参与向中国企业泄露韩国国家核心半导体技术。

据韩联社报道，首尔中央地方法院刑事审判第28合议庭当天就三星电子半导体技术外泄案作出一审判决，被告全某被判处有期徒刑7年。

法院表示，被泄露内容属于韩国“国家核心技术”，被告参与相关技术转移过程，将大型企业投入巨额资金研发的关键技术信息外泄，并供外国机构使用，损害涉事企业及国家利益，因此需从严惩处。

检方指控称，全某此前与三星电子一名前经理离职后，跳槽至中国存储芯片制造商长鑫存储。在此过程中，全某涉嫌将三星电子动态随机存取存储器（DRAM）制造工艺资料提供给中方企业，并于去年5月被逮捕起诉。

涉案技术据称为三星电子率先研发的10纳米级DRAM先进制程，公司为此累计投入约1.6万亿韩元研发资金。韩国检方认为，该技术在全球存储芯片市场具有较高商业价值和战略意义。

调查显示，全某过去约六年间从长鑫存储方面获得约29亿韩元收益，其中包括合同奖励、股票期权及其他报酬。

三星电子是全球最大的存储芯片制造商之一，而长鑫存储是中国推动存储芯片国产化的重要企业。近年来，随着美国加强对华芯片出口限制，亚洲主要经济体也同步强化对关键技术、人才流动及商业机密保护的监管。

韩国政府近年多次表示，将半导体、电池和显示面板等产业列为战略领域，并加大对技术泄密案件的调查与处罚力度。